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MEMS加速度傳感器石英撓性加速度傳感器組合導航系統 DCDC電源模塊傾角傳感器電子羅盤

二分之一磚DCDC電源模塊

Z28H50M500NNB DC-DC電源模塊

Z28H50M500NNB是標準1/2磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓50V，輸出電流10A。峰值效率可達95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。

Z28H24M600NNB DC-DC電源模塊

Z28H24M600NNB是標準1/2磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓24V，輸出電流25A。峰值效率可達95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。

Z28H12M600NNB DC-DC電源模塊

Z28H12M600NNB是標準1/2磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓12V，輸出電流50A。峰值效率可達95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。

Z24H28T500NNB DC-DC電源模塊

Z24H28T500NNB是標準1/2磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓28V，輸出電流17.9A。峰值效率可達96%，工作溫度范圍是：-40℃ ~ +100℃（殼溫）。

Z28H28M600NNB 是標準 1/2 磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓 28V，輸出電流 21.4A。峰值效率可達 96%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性；采用有源鉗位吸收技術降低了功率 MOS 管的電壓應力，提高功率 MOS 管的可靠性；采用無光耦的電壓反饋環提高了環路的響應速度與穩定性；采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號完成自動均流并聯應用，可應用于高可靠性的冗余備份系統。采用多層厚銅 PCB 與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度；采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。

四分之一磚DCDC電源模塊

Z28Q24M330NNB DC-DC電源模塊

Z28Q24M330NNB是標準1/4磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓24V，輸出電流13.8A。峰值效率可達95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性；采用有源鉗位吸收技術降低了功率MOS管的電壓應力，提高功率MOS管的可靠性；采用無光耦的電壓反饋環提高了環路的響應速度與穩定性；采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號完成自動均流并聯應用，可應用于高可靠性的冗余備份系統。

Z28Q12M330NNB DC-DC電源模塊

Z28Q12M330NNB是標準1/4磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓12V，輸出電流27.5A。峰值效率可達95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性；采用有源鉗位吸收技術降低了功率MOS管的電壓應力，提高功率MOS管的可靠性；采用無光耦的電壓反饋環提高了環路的響應速度與穩定性；

Z28Q05M300NNB DC-DC電源模塊

Z28Q05M300NNB是標準1/4磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓5V，輸出電流60A。峰值效率可達94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性；采用有源鉗位吸收技術降低了功率MOS管的電壓應力，提高功率MOS管的可靠性；采用無光耦的電壓反饋環提高了環路的響應速度與穩定性；

Z28Q28M330NNB DC-DC 電源模塊

Z28Q28M330NNB 是標準 1/4 磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓 28V，輸出電流 11.8A。峰值效率可達 95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性；采用有源鉗位吸收技術降低了功率 MOS 管的電壓應力，提高功率 MOS 管的可靠性；采用無光耦的電壓反饋環提高了環路的響應速度與穩定性；采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號完成自動均流并聯應用，可應用于高可靠性的冗余備份系統。采用多層厚銅 PCB 與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度；采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。

八分之一磚DCDC電源模塊

Z28E24M160NNB DC-DC電源模塊

Z28E24M160NNB是標準1/8磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓24V，輸出電流6.7A。峰值效率可達94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性；采用有源鉗位吸收技術降低了功率MOS管的電壓應力，提高功率MOS管的可靠性；采用無光耦的電壓反饋環提高了環路的響應速度與穩定性；采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號完成自動均流并聯應用，可應用于高可靠性的冗余備份系統。采用多層厚銅PCB與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度；采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。

Z28E12M160NNB DC-DC電源模塊

Z28E12M160NNB是標準1/8磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓12V，輸出電流13.3A。峰值效率可達94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性；采用有源鉗位吸收技術降低了功率MOS管的電壓應力，提高功率MOS管的可靠性；采用無光耦的電壓反饋環提高了環路的響應速度與穩定性；采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號完成自動均流并聯應用，可應用于高可靠性的冗余備份系統。采用多層厚銅PCB與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度；采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。

Z28E28M160NNB DC-DC 電源模塊

Z28E28M160NNB 是標準 1/8 磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓 28V，輸出電流 5.7A。峰值效率可達 94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。采用領先預偏值啟動同步整流技術提高了電源效率和同步整流的可靠性；采用有源鉗位吸收技術降低了功率 MOS 管的電壓應力，提高功率 MOS 管的可靠性；采用無光耦的電壓反饋環提高了環路的響應速度與穩定性；采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號完成自動均流并聯應用，可應用于高可靠性的冗余備份系統。采用多層厚銅 PCB 與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度；采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。

十六分之一磚DCDC電源模塊

Z28S12M50SNA DC-DC電源模塊

Z28S12M50SNA是標準1/16磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓12V，輸出電流4.17A。峰值效率可達93%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。采用同步整流技術提高了電源效率；采用有源鉗位吸收技術降低了功率MOS管的電壓應力，提高功率MOS管的可靠性；采用多層厚銅PCB與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度；采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。

Z28S05M50SNA DC-DC電源模塊

Z28S05M50SNA是標準1/16磚單路隔離穩壓輸出模塊，額定輸出電壓5V，輸出電流10A。峰值效率可達93%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。采用同步整流技術提高了電源效率；采用有源鉗位吸收技術降低了功率MOS管的電壓應力，提高功率MOS管的可靠性；采用多層厚銅PCB與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度；采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。